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- 論文名稱:高功率氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面金屬-絕緣體-半導體-高電子遷移率電晶體與授體摻雜閘極-高電子遷移率電晶體關鍵技術開發
- 論文名稱(外文):Critical Process Development in Power AlGaN/GaN MIS-HEMTs and p-GaN HEMTs
- 學校名稱:國立成功大學
- 系所名稱:奈米積體電路工程碩士學位學程
- 畢業學年度:107
- 學位類別:碩士
- 作者:陳政成
- 指導教授:高國興
- 碩士論文下載網址:https://hdl.handle.net/11296/g7p2v5
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