吸除研磨有效避免金屬離子擴散應用於研磨至150μm以下含記憶功能之凸塊晶圓 | 博碩士論文下載網
本研究的主要目的是評估吸除研磨(Getteringgrinding)製程的導入來避免金屬離子擴散,將此製程應用於研磨至150μm以下含記憶功能之凸塊晶圓。金屬層經研磨後其大氣中 ...,吸除研磨有效避免金屬離子擴散應用於研磨至150μm以下含記憶功能之凸塊晶圓=Getteringgrindingapplyonbumpwaferwhichthinnerthan150μmandwithmemory ...,用於凸塊至晶粒墊的安裝之配接表面(亦即,在凸塊及晶粒墊間的介面處)的直徑係藉由該焊料遮罩開口界定為...在拋光期間將研磨材料及腐蝕性化學品添加至晶圓的表面。,AdwillESeries紫外線硬化型研磨用保護膠帶(UVCur...
吸除研磨有效避免金屬離子擴散應用於研磨至150μm以下含記憶功能之凸塊晶圓 吸除研磨有效避免金屬離子擴散應用於研磨至150μm以下含記憶功能之凸塊晶圓 魚夫節目 文化大學國際企業管理學系評價 師大國文系教授 師大選課 謝佳玲教授 陳偉儀教授 微生物及免疫學研究所出路 微免所出路
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本研究的主要目的是評估吸除研磨(Gettering grinding) 製程的導入來避免金屬離子擴散,將此製程應用於研磨至150 μm以下含記憶功能之凸塊晶圓。金屬層經研磨後其大氣中 ... Read More
MARC21書目 | 博碩士論文下載網
吸除研磨有效避免金屬離子擴散應用於研磨至150μm以下含記憶功能之凸塊晶圓=Gettering grinding apply on bump wafer which thinner than 150 μm and with memory ... Read More
在基板上形成高繞線密度互連位置的半導體裝置及方法 | 博碩士論文下載網
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吸除研磨有效避免金屬離子擴散應用於研磨至150μm以下含記憶功能之凸塊晶圓. Gettering grinding apply on bump wafer which thinner than 150 ... 全站搜尋 回到頂部. Read More
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